
三星的24Gb GDDR7显存采用了第五代10纳米级DRAM制程技术,使其在保持与前代产品相同封装尺寸的同时,单元密度提高了50%。
该显存采用了三电平脉冲幅度调制(PAM3)信号技术,实现了显存中领先的40Gbps速率,根据使用环境的不同,最高性能可达42.5Gbps。
从该产品开始,三星还将以前在移动产品中使用的技术首次应用于显存中,能效提高了30%以上,再通过“时钟控制和控制技术”和“双功率设计”,减少不必要功耗,实现产品功率最大化。

此外,这款24Gb GDDR7显存还采用了电源门控设计,以减少电流泄漏,确保在高速运行时的稳定性。
三星电子内存产品规划执行副总裁YongCheol Bae表示:“我们将继续引领显存市场,推出符合AI市场日益增长需求的下一代产品。”
三星透露,今年将与主要GPU客户开始对24Gb GDDR7进行下一代AI计算系统的验证,并计划在明年初实现商业化。

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